Напівпровідник p-типу

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти к навигации Перейти к поиску

[[Категорія:Статті без джерел з Шаблон:Ambox/date]]Категорія:Статті з неправильним параметром дати у шаблоніКатегорія:Усі статті без джерел

Напівпровідни́к p-ти́пу — напівпровідник, в якому основними носіями заряду є дірки.

Напівпровідники p-типу отримують методом легування власних напівпровідників акцепторами. Для напівпровідників четвертої групи періодичної таблиці, таких як кремній та германій, акцепторами можуть бути домішки хімічних елементів третьої групи — бор, алюміній.

Наприклад, якщо кремній легувати 3-валентним індієм, то для утворення зв'язків з кремнієм у індію не вистачає одного електрона, тобто утворюється дірка. Змінюючи концентрацію індію, можна в широких межах змінювати провідність кремнію, створюючи напівпровідник із заданими електричними властивостями. Такий напівпровідник називається напівпровідником p-типу, основними носіями заряду є дірки, а домішка індію, що утворює дірку, називається акцепторною.

Концентрація дірок у валентній зоні визначається температурою, концентрацією акцепторів, положенням акцепторного рівня над верхом валентної зони, ефективною густиною рівнів у валентній зоні.

Див. також

Шаблон:Stub-meta

Категорія:Фізика напівпровідників